新洁能推出增强型N沟道MOSFET系列产物 强型以NCE011N30GU为例
时间:2025-09-18 20:08:39 分类: 来源:
产物优势
接管超高元胞密度、新洁T系 导通电阻典型值低至0.75mR,出增不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，强型以NCE011N30GU为例，列产搭配优化后的新洁T系大电流产物封装工艺，为市场提供经济高效的出增产物处置妄想。运用新洁能特有的强型沟槽型工艺平台，
列产产物特色
列产○ 高功电流密度
列产○ 超低导通阻抗
列产○ 高散热功能
列产○ 高坚贞性
列产新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。新洁T系器件经由100% 雪崩测试，出增产物功能卓越，强型系列产物具备超高电流密度，列产具备较优的新洁T系鲁棒性，小线宽妄想，出增